イオン研磨計IM 4000 II
日立イオンミル標準モデルIM 4000 IIは断面研磨と平面研磨が可能。低温制御や真空移動などの各種オプション機能により、異なるサンプルに対して断面研磨を行うこともできる。
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特徴
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オプション
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仕様
特徴
高効率断面研磨
IM 4000 IIは断面研磨能力を500µm/hまで搭載*1以上の高効率イオン銃。したがって、硬質材料であっても断面サンプルを効率よく製造することができる。
- *1
- 加速電圧6 kVでSiシートを遮蔽板縁から100µm突出させて1時間加工最大深さ
サンプル:Siシート(2 mm厚)
加速電圧:6.0 kV
揺動角度:±30°
断面研磨時に揺動の角度が変化すると、加工の幅や深さも変化します。下図はSiシートの揺動角度±15°で断面研磨を行った結果である。揺動角度以外の条件は、上記加工条件と一致する。上記の結果と比較することにより、加工の深さが深くなることがわかる。
観察対象が奥深く位置するサンプルに対して、サンプルをより迅速な断面研磨を行うことができる。
サンプル:Siシート(2 mm厚)
加速電圧:6.0 kV
揺動角度:±15°
研磨時間:1時間
断面研磨
- 異なる硬度及び研磨速度の材質からなる複合材料であっても、IM 4000 IIにより平滑な研磨面を製造することができる
- 加工条件を最適化し、イオンビームによるサンプルの損傷を低減する
- 最大20 mm(W)×12 mm(D)×7 mm(H)のサンプルを積載可能
断面研磨の主な用途
- 金属及び複合材料、高分子材料等の試料の断面製造
- 亀裂や空隙などの特定の位置を含む試料断面の製造
- 多層試料の断面作製及び試料EBSD分析の前処理
平面研磨
- 直径5 mm程度の均一加工
- 最大積載可能直径50 mm×高さ25 mmのサンプル
- 回転と揺動(±60度,±90度の揺動)の2種類の加工方法を選択可能
平面研磨の主な用途
- 機械研磨では消し難い細かい傷や変形を除去する
- サンプル表層部分の除去
- FIB加工による損傷層の除去
オプション
低温制御機能*1
液体窒素を杜瓦缶に入れて、サンプルを冷却源として間接的に冷却した。IM 4000 IIには、樹脂とゴムサンプルの過冷却を防止するための温度調節制御機能が搭載されている。
じょうおんけんさく
冷却研磨(-100℃)
- サンプル:プラスチック使用を減らす機能性(紙)隔離材料
真空移動機能
イオン研磨加工後の試料は、空気に触れずにSEMに直接移行することができる*1、AFM*2ダイアログが表示されます。真空移動機能と低温制御機能を併用することができる。(平面研磨真空移動機能は低温制御機能を適用しない)。
- *1真空転送交換ボックス付き日立FE-SEMのみ対応
加工過程を観察するための体形顕微鏡
右図はサンプルの加工過程を観察するための体式顕微鏡です。CCDカメラを搭載した三眼型顕微鏡はディスプレイ上で観察することができる。双眼型体形顕微鏡を配置することもできます。
仕様
主な内容 | |
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使用ガス | アルゴンガス |
アルゴン流量制御方式 | マスフロー制御 |
かそくでんあつ | 0.0 ~ 6.0 kV |
寸法すんぽう | 616(W) × 736(D) × 312(H) mm |
じゅうりょう | |
断面研磨 | |
最速研磨速度(Si材料) | 500 µm/h*1以上 |
最大サンプルサイズ | 20(W)×12(D)×7(H)mm |
サンプル移動範囲 | X±7 mm、Y 0 ~+3 mm |
イオンビーム間欠加工機能 オン/オフ時間設定範囲 |
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揺動角度 | ±15°、±30°、±40° |
広域断面研磨機能 | - |
平面研磨 | |
最大加工範囲 | φ32 mm |
最大サンプルサイズ | Φ50 X 25 (H) mm |
サンプル移動範囲 | X 0~+5 mm |
イオンビーム間欠加工機能 オン/オフ時間設定範囲 |
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かいてんそくど | 1 rpm、25 rpm |
揺動角度 | ±60°、± 90° |
傾斜角度 | 0 ~ 90° |
- *1 Siシートを遮蔽板縁から100µm突出させ、深さ1時間加工した。
オプション
プロジェクト | 内容 |
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低温制御機能*2 | 液体窒素による試料の間接冷却、温度設定範囲:0°C~-100°C |
使用時間は標準遮蔽板の約2倍(コバルトを含まない) | |
加工過程観察用顕微鏡 | 拡大倍率15×~100×両目型、三目型(CCD装着可能) |
- *2ホストと同時に注文する必要があります。
関連製品区分
- 電界放出走査電子顕微鏡(FE−SEM)
- 走査電子顕微鏡(SEM)
- 透過型電子顕微鏡(TEM/STEM)